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FRD100CA120 - モジュール/電子部品/半導体 FRD100CA120 FRD1OOCA12O
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FRD100CA120 - モジュール/電子部品/半導体 FRD100CA120 FRD1OOCA12O

起源の場所 日本
ブランド名 SANREX
証明 CE RoHS
モデル番号 FRD100CA120
製品詳細
状態:
新しいファクトリーシール(NFS)
商品番号:
FRD100CA120
起源:
日本
ハイライト: 

モジュールフジ温度調節器

,

モジュール PLC プログラム可能な論理制御器

支払いと配送条件
最小注文数量
1個
パッケージの詳細
オリジナルの梱包
受渡し時間
中国
支払条件
ウェスタンユニオン、L/C、T/T
供給の能力
10000個/日
製品説明

Sanrex FRD100CA120 | 高速回復ダイオードパワーモジュール — 1200V / 100A / 1.80V Vfm / DCB / 2500V 絶縁


高速回復 — 標準整流ダイオードとは異なります

50/60 Hz の商用電源整流用に設計された標準ダイオードは、順方向バイアス時に接合電荷を蓄積し、電圧が逆転すると逆電流パルスとして放出します。商用周波数では、この逆回復電流はサイクル時間に対して短時間です。電圧がマイクロ秒単位で逆転する PWM インバータおよび高周波スイッチング回路では、この逆回復電流は順電流と同程度になり、隣接するスイッチを介して破壊的な電流スパイクを発生させる可能性があります。


高速回復ダイオードは、最適化された接合ドーピングプロファイル、狭いベース幅、および制御された少数キャリア寿命を使用して、蓄積電荷を削減し、回復を加速します。FRD100CA120 は、マイクロ秒の数分の一で逆方向への導通を停止します — IGBT インバータブリッジ、ブレーキチョッパ回路、および PFC ブーストステージのフリーホイールダイオードの基本的な要件です。


DCB 基板 — 直接ボンディングによる信頼性

DCB (Direct Copper Bonded) 基板は、高温拡散プロセスを通じて銅層をセラミック絶縁体に直接接着します — はんだや接着剤ではなく、金属結合です。これにより、シリコン接合からベースプレートへの熱抵抗が低くなり、はんだ付けされたセラミック構造よりも熱サイクル疲労に対する耐性が向上します。モジュールが長年の使用で加熱および冷却されるにつれて、DCB 基板は、はんだ結合構造が空隙や層間剥離を発生させて熱抵抗を徐々に増加させるのとは異なり、熱接続を維持します。


DCB 基板は、半導体デバイス(DC バス電位)とベースプレート(ヒートシンクアース)の間に 2500V の絶縁も提供し、ほとんどのアプリケーションで追加の絶縁パッドなしで金属ヒートシンクへの直接取り付けを可能にします。



主な仕様

パラメータ
Vrrm 1200V
Ifa 100A (Tc = 78℃)
Vfm 1.80V
Ifsm 2000A
I²t 16,600 A²s
絶縁 2500V
基板 DCB
ベース幅 34 mm

ドライブパワーエレクトロニクスにおける応用

回路位置 高速回復が必要な理由
インバータフリーホイールダイオード 逆回復電流が IGBT のターンオン時に流れる — 低速回復は IGBT のスイッチングストレスを増加させる
PFC ブーストステージ ダイオードがブーストコンバータ周波数(20〜100 kHz)でスイッチングする — 低速回復は高いスイッチング損失を発生させる
ブレーキチョッパフリーホイール チョッパオフ期間中にインダクタ電流がチョッパスイッチング周波数で再循環する

よくある質問

Q1: 高速回復ダイオードと超高速ダイオードの実用的な違いは何ですか?

高速回復ダイオードの逆回復時間(trr)は通常 100〜500 ns の範囲です。超高速ダイオードは 100 ns 未満の trr を達成します。約 20 kHz までのスイッチング周波数の産業用ドライブ PWM では、高速回復で十分な場合がほとんどです。50 kHz を超える高性能コンバータでは、超高速または SiC ショットキーダイオードがスイッチング損失をさらに低減します。FRD の指定は高速回復を示します — 正確な trr は Sanrex のデータシートに記載されています。


Q2: FRD100CA120 は、保護なしで DC リンク短絡に耐えられますか?

いいえ。Ifsm(2000A)は、定義された期間の短い電流パルスに対する単一イベントサージ定格です。持続的な DC リンク障害は、はるかに高いエネルギーを供給します。I²t 値(16,600 A²s)は、総エネルギー吸収限界を定義します。上流のヒューズは、ダイオードを保護するために、16,600 A²s より低い I²t 貫通値を持つ必要があります — モジュールを流れるエネルギーがこの限界を超える前に障害がクリアされる必要があります。


Q3: I²t 値はヒューズ選択にどのように役立ちますか?

ダイオードが障害を乗り越えるためには、上流のヒューズの I²t 貫通値が、モジュールの I²t 定格である 16,600 A²s より小さくなければなりません。ヒューズメーカーは、ヒューズ定格と予想される障害電流の関数として、選択表に I²t 貫通値を公開しています。設置場所の障害電流レベルでの最大貫通 I²t が 16,600 A²s 未満になるヒューズを選択してください。


Q4: 定格 100A 容量を達成する取り付け手順は何ですか?

モジュールベースプレートとヒートシンクの間に熱インターフェイス材料(熱グリースまたはカット済みサーマルパッド)を塗布します。Sanrex データシートに指定されているトルクまで取り付けネジを締めます — 一様なトルクは、セラミック基板を割ることなく十分な接触圧を保証します。モジュールの伝導損失(順電圧 1.80V で 100A 時約 180W)と、連続全負荷動作時に Tc ≤ 78℃ を維持するための十分なエアフローを考慮してヒートシンクのサイズを決定してください。


Q5: FRD100CA120 は、Semikron、Infineon、または Powerex の同等モジュールの直接代替品ですか?

34mm ベースパッケージと 1200V/100A 定格は、これらのメーカーが使用する国際標準パッケージと互換性があります。機械的な適合性は一般的に互換性があります。元のモジュールと FRD100CA120 のデータシート間の動的パラメータ — trr、Qrr、Rth(j-c) — を確認して、特定の回路動作条件に対して置換が適切であることを確認してください。



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